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Nexperia Oberfläche Transistor PnP -45 V / -100 mA, SOT-883 3-Pin

Marke: Nexperia

Hersteller Artikel-Nr.: BC857BM,315

Produkt-Nr.: P-DRB3KH

Technische Daten

Betriebstemperatur min.
-65°C
DC-Stromverstärkung min. (hFE)
125
Emitter-Basisspannung max. (VEBO)
-5V
Gehäusegröße
SOT-883
Kollektor-Basis Spannung max. (VCBO)
-50V
Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo)
-45V
Kollektorstrom DC max. (Idc)
-100mA
Maximale Betriebstemperatur
150°C
Maximale Übergangsfrequenz (Ft)
100MHz
Maximale Verlustleistung (Pd)
430mW

Produktbeschreibung

Transistoren, PNP einfach. Kleine, platzsparende Lösungen. In unserem mehr als 300 Artikel umfassenden Porfolio für bipolare Kleinsignal-Bauelemente finden Sie viele einfache PNP-Transistoren. Ideal für Ihre Schalt- und Verstärkungsanwendungen mit Gehäuseoptionen wie z. B. unserem extrem kleinen, kabellosen Gehäuse SOT883, welches eine ausgezeichnete Wahl für kompakte Bauweisen ist.Extrem kleines, kabelloses 1006-Gehäuse SOT883 (SC-101) Breite Auswahl an SMD- und bleihaltigen Gehäuseoptionen Vielzahl an doppelten und einfachen Funktionen Mehr als 300 verschiedene Produkte Für allgemeine Schalt- und VerstärkungsanwendungenPNP-Universaltransistoren, PNP-Universaltransistor in einem extrem kleinen SOT883 Kunststoffgehäuse ohne Kabel. NPN-Gegenstück: Serie BC847MExtrem kleines Kunststoffgehäuse ohne Kabel (1 x 0,6 x 0,5 mm) Platz auf der Platine: 1,3 x 0,9 mm Verlustleistung vergleichbar mit SOT23. AEC-Q101-qualifiziert Allgemeine Kleinsignal-DC AC-Anwendungen mit niedriger und mittlerer Frequenz Mobile Kommunikation, digitale (Foto-)Kameras, PDAs, PCMCIA-Karten.

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Kennzeichnungen

Artikeltyp
Bipolare Transistoren
GTIN
5059043061337

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