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Nexperia Oberfläche Transistor PnP -45 V / -100 mA, SOT-23 3-Pin

Marke: Nexperia

Hersteller Artikel-Nr.: BC857A,215

Produkt-Nr.: P-DRKWDN

Technische Daten

Betriebstemperatur min.
-65°C
DC-Stromverstärkung min. (hFE)
125
Emitter-Basisspannung max. (VEBO)
-5V
Gehäusegröße
SOT-23
Kollektor-Basis Spannung max. (VCBO)
-50V
Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo)
-45V
Kollektorstrom DC max. (Idc)
-100mA
Maximale Betriebstemperatur
150°C
Maximale Übergangsfrequenz (Ft)
100MHz
Maximale Verlustleistung (Pd)
250mW

Produktbeschreibung

Kleine, platzsparende Lösungen – innerhalb unseres starken, bipolaren Kleinsignal-Bauteilportfolios 300+ finden Sie viele einzelne PNP-Transistoren. Ideal für Ihre Schalt- und Verstärkungsanwendungen mit Gehäuseoptionen wie z. B. unserem extrem kleinen, kabellosen Gehäuse SOT883, welches eine ausgezeichnete Wahl für kompakte Bauweisen ist.Extrem kleines, kabelloses 1006-Gehäuse SOT883 (SC-101)Breite Auswahl an SMD- und bleihaltigen GehäuseoptionenVielzahl an doppelten und einfachen FunktionenMehr als 300 verschiedene ProduktePNP-Transistoren für allgemeine Anwendungen, PNP-Transistor in einem SOT23-Kunststoffgehäuse. NPN ergänzt: BC846, BC847 und BC848.Niedriger Stromverbrauch (max. 100 mA)Niedrige Spannung (max. 65 V).AEC-Q101-qualifiziert

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Kennzeichnungen

Artikeltyp
Bipolare Transistoren
GTIN
5059043358697

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