Nexperia Oberfläche Transistor PnP -30 V / -100 mA, UMT 3-Pin

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-65°C

DC-Stromverstärkung min. (hFE)

220

Emitter-Basisspannung max. (VEBO)

5V

Gehäusegröße

UMT

Kollektor-Basis Spannung max. (VCBO)

30V

Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo)

-30V

Kollektorstrom DC max. (Idc)

-100mA

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Maximale Übergangsfrequenz (Ft)

100MHz

Maximale Verlustleistung (Pd)

200mW