Nexperia Oberfläche Transistor PnP -100 V / -3 A, SOT-669 5-Pin

Einzelne Leistungstransistoren mit niedriger VCEsat (BISS) für den Betrieb mit hoher Effizienz. In Hochleistungssystemen kann die Energieeffizienz ebenso wichtig sein wie bei Systemen mit niedriger Leistung. Durch Minimierung des Stromverbrauchs und der Wärmeableitung helfen unsere BISS-Lösungen dabei, diese konstruktive Herausforderung zu meistern.Bipolarer PNP-Hochleistungstransistor mit 100 V, 3 A bipolarer PNP-Hochleistungstransistor in einem SOT669 (LFPAK56) SMD-Leistungsgehäuse aus Kunststoff. PNP-Gegenstück: PHPT61003PYHohe Wärmeableitungsfähigkeit Geeignet für Hochtemperaturanwendungen bis zu 175 °C Geringere Anforderungen an die Leiterplatte (PCB) als bei Transistoren in DPAK Hohe Energieeffizienz durch geringere Wärmeentwicklung AEC-Q101-qualifiziert Ausschalten Lastschalter Linearer Spannungsregler Hinterleuchtungsanwendungen