Nexperia Oberfläche Transistor NPN + PNP 45 V / 100 mA, US 6-Pin

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-65°C

DC-Stromverstärkung min. (hFE)

200

Emitter-Basisspannung max. (VEBO)

5V

Gehäusegröße

US

Höhe

1.1mm

Kollektor-Basis Spannung max. (VCBO)

50V

Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo)

45V

Kollektorstrom DC max. (Idc)

100mA

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Maximale Verlustleistung (Pd)

400mW