Nexperia Oberfläche Transistor NPN 80 V / 1 A, SOT-223 3-Pin
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- DC-Stromverstärkung min. (hFE)
- 63
- Emitter-Basisspannung max. (VEBO)
- 5V
- Gehäusegröße
- SOT-223
- Kollektor-Basis Spannung max. (VCBO)
- 100V
- Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo)
- 80V
- Kollektorstrom DC max. (Idc)
- 1A
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Übergangsfrequenz (Ft)
- 180MHz
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 1.35W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 3
- Polarität des Transistors
- NPN
- Produkt Typ
- Transistor
- Transistor-Konfiguration
- Einfach
Produktbeschreibung
Kleine, platzsparende Lösungen – innerhalb unseres starken, bipolaren Kleinsignal-Bauteilportfolios 300+ finden Sie viele einzelne PNP-Transistoren. Ideal für Ihre Schalt- und Verstärkungsanwendungen mit Gehäuseoptionen wie z. B. unserem extrem kleinen, kabellosen Gehäuse SOT883, welches eine ausgezeichnete Wahl für kompakte Bauweisen ist.Extrem kleines, kabelloses 1006-Gehäuse SOT883 (SC-101)Breite Auswahl an SMD- und bleihaltigen GehäuseoptionenVielzahl an doppelten und einfachen FunktionenMehr als 300 verschiedene ProdukteNPN-Transistoren mittlerer Leistung (80 V, 1 A), PNP-Transistoren mittlerer Leistung in einem SOT223 (SC-73)-SMD-Kunststoffgehäuse mittlerer Leistung.Hohe Kollektor-Strombelastbarkeit (IC und ICM)Drei Stromverstärkungen auswählbarHohes VerlustleistungsvermögenAEC-Q101-qualifiziert
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- Bipolare Transistoren
- GTIN
- 5059043637174
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