Nexperia Oberfläche Transistor NPN 65 V / 100 mA, US 6-Pin

Technische Daten

DC-Stromverstärkung min. (hFE)

200

Emitter-Basisspannung max. (VEBO)

6V

Gehäusegröße

US

Höhe

1.1mm

Kollektor-Basis Spannung max. (VCBO)

80V

Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo)

65V

Kollektorstrom DC max. (Idc)

100mA

Länge

2.2mm

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Maximale Verlustleistung (Pd)

200mW