Nexperia Oberfläche Transistor NPN 65 V / 100 mA, US 6-Pin

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-65°C

DC-Stromverstärkung min. (hFE)

110

Emitter-Basisspannung max. (VEBO)

65V

Gehäusegröße

US

Höhe

1.1mm

Kollektor-Basis Spannung max. (VCBO)

80V

Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo)

65V

Kollektorstrom DC max. (Idc)

100mA

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Maximale Verlustleistung (Pd)

20mW