Nexperia Oberfläche Transistor NPN 65 V / 100 mA, DFN 3-Pin
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -65°C
- DC-Stromverstärkung min. (hFE)
- 200
- Emitter-Basisspannung max. (VEBO)
- 65V
- Gehäusegröße
- DFN
- Kollektor-Basis Spannung max. (VCBO)
- 80V
- Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo)
- 65V
- Kollektorstrom DC max. (Idc)
- 100mA
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Übergangsfrequenz (Ft)
- 100MHz
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 250mW
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 3
- Polarität des Transistors
- NPN
- Produkt Typ
- Transistor
- Transistor-Konfiguration
- Einfach
Produktbeschreibung
Einfache NPN-Transistoren. Eine große Auswahl an Geräten und Gehäusen bis hinunter auf extrem kleine Größen. Unsere einfache NPN-Transistoren sind Teil eines mehr als 300 Artikel umfassenden Portfolios für Kleinsignal-Bauelemente und perfekt für Ihre Schalt- und Verstärkungsanwendungen. Zusätzlich bieten wir eine Reihe von SMD-Gehäusen einschließlich unserem extrem kleinen Gehäuse SOT883 ohne Kabel für platzsparende Designs.Extrem kleines, kabelloses 1006-Gehäuse SOT883 (SC-101) Breite Auswahl an SMD- und bleihaltigen Gehäuseoptionen Vielzahl an doppelten und einfachen Funktionen Mehr als 300 verschiedene Produkte Für allgemeine Schalt- und VerstärkungsanwendungenNPN-Universaltransistor für 65 V, 100 mA, NPN-Universaltransistor in einem extrem kleinen DFN1006B-3 (SOT883B) SMD-Kunststoffgehäuse ohne Kabel.Extrem kleines SMD-Kunststoffgehäuse Geringe Gehäusehöhe von 0,37 mm Verlustleistung vergleichbar mit SOT23 AEC-Q101-qualifiziert Für allgemeine Schalt- und Verstärkungsanwendungen Mobile Anwendungen
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- Bipolare Transistoren
- GTIN
- 5059043634067
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