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Nexperia Oberfläche Transistor NPN 45 V / 100 mA, UMT 3-Pin

Marke: Nexperia

Hersteller Artikel-Nr.: BC847BW,115

Produkt-Nr.: P-DRGRD5

Technische Daten

Betriebstemperatur min.
-65°C
DC-Stromverstärkung min. (hFE)
200
Emitter-Basisspannung max. (VEBO)
6V
Gehäusegröße
UMT
Kollektor-Basis Spannung max. (VCBO)
50V
Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo)
45V
Kollektorstrom DC max. (Idc)
100mA
Maximale Betriebstemperatur
150°C
Maximale Übergangsfrequenz (Ft)
100MHz
Maximale Verlustleistung (Pd)
200mW

Produktbeschreibung

Produkt Typ = Transistor
Kollektorstrom DC max. Idc = 100mA
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo = 45V
Gehäusegröße = UMT
Montageart = Oberfläche
Transistor-Konfiguration = Einfach
Kollektor-Basis Spannung max. VCBO = 50V
Maximale Verlustleistung Pd = 200mW
Pinanzahl = 3°C
Höhe = 0.95mm
Automobilstandard = AEC-Q101

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Kennzeichnungen

Artikeltyp
Bipolare Transistoren
GTIN
5059043889771

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