Nexperia Oberfläche Transistor NPN 45 V / 100 mA, TO-236 3-Pin
Technische Daten
- DC-Stromverstärkung min. (hFE)
- 100
- Emitter-Basisspannung max. (VEBO)
- 6V
- Gehäusegröße
- TO-236
- Höhe
- 1.1mm
- Kollektor-Basis Spannung max. (VCBO)
- 50V
- Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo)
- 45V
- Kollektorstrom DC max. (Idc)
- 100mA
- Länge
- 3mm
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 250mW
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 3
- Polarität des Transistors
- NPN
- Produkt Typ
- Transistor
- Transistor-Konfiguration
- Einfach
Produktbeschreibung
Eine große Auswahl an Geräten und Gehäusen, auch in extrem kleinen Baugrößen. Unsere einzigartigen NPN-Transistoren eignen sich perfekt für Ihre Schalt- und Verstärkungsanwendungen und sind Teil eines bipolaren 300+ starken Kleinsignal-Gerät-Portfolios. Zusätzlich bieten wir eine Reihe von SMD-Gehäusen einschließlich unserem extrem kleinen Gehäuse SOT883 ohne Kabel für platzsparende Designs.Extrem kleines, kabelloses 1006-Gehäuse SOT883 (SC-101)Breite Auswahl an SMD- und bleihaltigen GehäuseoptionenVielzahl an doppelten und einfachen FunktionenMehr als 300 verschiedene ProdukteAnwendungsbereicheFür allgemeine Schalt- und VerstärkungsanwendungenNPN-Universaltransistoren in SMD-Kunststoffgehäusen.UniversaltransistorenSMD-KunststoffgehäuseZwei verschiedene Verstärkungsgrade auswählbarZielanwendungsbereicheFür allgemeine Schalt- und Verstärkungsanwendungen
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- Bipolare Transistoren
- GTIN
- 5059043815053