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Nexperia Oberfläche Transistor NPN 100 V / 10 A, SOT-669 5-Pin

Marke: Nexperia

Hersteller Artikel-Nr.: PHPT61010NYX

Produkt-Nr.: P-DRKWHC

Technische Daten

Betriebstemperatur min.
-55°C
DC-Stromverstärkung min. (hFE)
150
Emitter-Basisspannung max. (VEBO)
7V
Gehäusegröße
SOT-669
Kollektor-Basis Spannung max. (VCBO)
100V
Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo)
100V
Kollektorstrom DC max. (Idc)
10A
Maximale Betriebstemperatur
175°C
Maximale Übergangsfrequenz (Ft)
145MHz
Maximale Verlustleistung (Pd)
25W

Produktbeschreibung

NPN-Hochleistungs-Bipolartransistor (100 V, 10 A), NPN-Hochleistungs-Bipolartransistor in einem leistungsstarken SOT669 (LFPAK56)-SMD-Kunststoffgehäuse. PNP-Ergänzung PHPT61010PYHohes Wärmekraft-AbleitungsvermögenAnwendungen bei hohen Temperaturen bis zu 175 °CGeringere Anforderungen an die Platine (PCB) als die Transistoren in DPAKHohe Energieeffizienz durch geringere WärmeentwicklungAEC-Q101-qualifiziert.

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Kennzeichnungen

Artikeltyp
Bipolare Transistoren
GTIN
5059043637709

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