Nexperia Oberfläche Mit Widerstand ausgestatteter Transistor PnP -50 V / -100 mA, SOT 3-Pin

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-65°C

DC-Stromverstärkung min. (hFE)

35

Emitter-Basisspannung max. (VEBO)

-5V

Gehäusegröße

SOT

Höhe

1mm

Kollektor-Basis Spannung max. (VCBO)

-50V

Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo)

-50V

Kollektorstrom DC max. (Idc)

-100mA

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Maximale Verlustleistung (Pd)

250mW