Nexperia Oberfläche Mit Widerstand ausgestatteter Transistor PnP -50 V / -100 mA, DFN1110D-3 3-Pin
Technische Daten
- Automobilstandard
- AEC-Q101
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Emitter-Basisspannung max. (VEBO)
- -10V
- Gehäusegröße
- DFN1110D-3
- Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo)
- -50V
- Kollektorstrom DC max. (Idc)
- -100mA
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Montageart
- Oberfläche
- Normen/Zulassungen
- RoHS
- Pinanzahl
- 3
- Polarität des Transistors
- PnP
- Produkt Typ
- Mit Widerstand ausgestatteter Transistor
- Serie
- PDTA143X
- Transistor-Konfiguration
- PNP
Produktbeschreibung
Produkt Typ = Mit Widerstand ausgestatteter Transistor
Kollektorstrom DC max. Idc = -100mA
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo = -50V
Gehäusegröße = DFN1110D-3
Montageart = Oberfläche
Transistor-Konfiguration = PNP
Polarität des Transistors = PnPV
Pinanzahl = 3°C
Normen/Zulassungen = RoHS
Automobilstandard = AEC-Q101
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- Bipolare Transistoren
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