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Nexperia Oberfläche Mit Widerstand ausgestatteter Transistor NPN + PNP 50 V / 100 mA, SOT 6-Pin

Marke: Nexperia

Hersteller Artikel-Nr.: PUMD12,115

Produkt-Nr.: P-DP6W7L

Technische Daten

Betriebstemperatur min.
-65°C
DC-Stromverstärkung min. (hFE)
80
Emitter-Basisspannung max. (VEBO)
10V
Gehäusegröße
SOT
Kollektor-Basis Spannung max. (VCBO)
50V
Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo)
50V
Kollektorstrom DC max. (Idc)
100mA
Maximale Betriebstemperatur
150°C
Maximale Übergangsfrequenz (Ft)
230MHz
Maximale Verlustleistung (Pd)
300mW

Produktbeschreibung

Widerstandsbestückte Transistoren (RETs), platzsparende und kostensparende Lösungen, die die Anzahl der Komponenten reduzieren und den Stromkreisentwurf vereinfachen.Transistoren mit NPN/PNP-Widerstand, R1 = 47 kΩ, R2 = 47 kΩ, NPN/PNP-Doppelwiderstands-Transistoren (RET) in SMD-Kunststoffgehäusen.Ausgangsstrom: 101 mAIntegrierte VorwiderständeVereinfachter StromkreisaufbauReduziert die Anzahl der Komponenten

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Kennzeichnungen

Artikeltyp
Bipolare Transistoren
GTIN
5059043685588

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