Nexperia Oberfläche Mit Widerstand ausgestatteter Transistor NPN 50 V / 100 mA, TO-236 3-Pin
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -65°C
- DC-Stromverstärkung min. (hFE)
- 30
- Emitter-Basisspannung max. (VEBO)
- 10V
- Gehäusegröße
- TO-236
- Höhe
- 1.1mm
- Kollektor-Basis Spannung max. (VCBO)
- 50V
- Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo)
- 50V
- Kollektorstrom DC max. (Idc)
- 100mA
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 250mW
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 3
- Polarität des Transistors
- NPN
- Produkt Typ
- Mit Widerstand ausgestatteter Transistor
- Transistor-Konfiguration
- Einfach
Produktbeschreibung
Widerstandbestückte NPN-Transistor-(Resistor-Equipped Transistor, RET)-Familie in kleinen SMD-Kunststoffgehäusen.Ausgangsstrom: 100 mAIntegrierte VorwiderständeVereinfacht den SchaltungsaufbauVerringert die Anzahl an BauelementenVerringert die BestückungskostenZielanwendungsbereicheDigitale Anwendungen im Automobilbau und in industriellen BereichenSteuerung von IC-EingängenKostengünstige Alternative zur Serie BC847/857 in digitalen AnwendungenSchalten von Lasten
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- Bipolare Transistoren
- GTIN
- 5059043816401