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Nexperia Oberfläche Mit Widerstand ausgestatteter Transistor NPN 50 V / 100 mA, TO-236 3-Pin

Marke: Nexperia

Hersteller Artikel-Nr.: PDTC114ET,235

Produkt-Nr.: P-DP7Y3P

Technische Daten

Betriebstemperatur min.
-65°C
DC-Stromverstärkung min. (hFE)
30
Emitter-Basisspannung max. (VEBO)
10V
Gehäusegröße
TO-236
Höhe
1.1mm
Kollektor-Basis Spannung max. (VCBO)
50V
Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo)
50V
Kollektorstrom DC max. (Idc)
100mA
Maximale Betriebstemperatur
150°C
Maximale Verlustleistung (Pd)
250mW

Produktbeschreibung

Widerstandbestückte NPN-Transistor-(Resistor-Equipped Transistor, RET)-Familie in kleinen SMD-Kunststoffgehäusen.Ausgangsstrom: 100 mAIntegrierte VorwiderständeVereinfacht den SchaltungsaufbauVerringert die Anzahl an BauelementenVerringert die BestückungskostenZielanwendungsbereicheDigitale Anwendungen im Automobilbau und in industriellen BereichenSteuerung von IC-EingängenKostengünstige Alternative zur Serie BC847/857 in digitalen AnwendungenSchalten von Lasten

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Kennzeichnungen

Artikeltyp
Bipolare Transistoren
GTIN
5059043816401