Nexperia Oberfläche Mit Widerstand ausgestatteter Transistor NPN 50 V / 100 mA, SOT 3-Pin
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -65°C
- DC-Stromverstärkung min. (hFE)
- 60
- Emitter-Basisspannung max. (VEBO)
- 10V
- Gehäusegröße
- SOT
- Höhe
- 1mm
- Kollektor-Basis Spannung max. (VCBO)
- 50V
- Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo)
- 50V
- Kollektorstrom DC max. (Idc)
- 100mA
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 250mW
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 3
- Polarität des Transistors
- NPN
- Produkt Typ
- Mit Widerstand ausgestatteter Transistor
- Transistor-Konfiguration
- Einfach
Produktbeschreibung
Widerstandsbestückte Transistoren (RETs), platzsparende und kostensparende Lösungen, die die Anzahl Ihrer Komponenten reduzieren und den Stromkreisaufbau vereinfachen. Durch die Kombination von Transistoren mit den dazugehörigen Widerständen sind RETs hervorragende platzsparende und kostensparende Lösungen. Wir bieten ca. 400 Produkte an, damit Sie die Lösungen finden, die am besten für Ihre Anwendungen geeignet sind. In unserem Portfolio finden Sie einfache und duale RETs mit einer Vielzahl von Widerstandskombinationen. Darüber hinaus können Sie auch zwischen Baureihen mit SMD-Gehäusen und bedrahteten Gehäusen wählen.±10 % Widerstand-VerhältnistoleranzVerringert die Bestückungskosten.Integrierte VorwiderständeReduziert die Anzahl der KomponentenAusgangsstrombelastbarkeit von 100 mA, 500 mA und bis zu 800 mAVereinfacht den StromkreisaufbauTransistoren mit NPN-Widerstand R1 = 47 kOhm, R2 = 22 kOhm, Transistor mit NPN-Widerstand (siehe ″Vereinfachte Umrisse, Symbole und Pinbelegung″ für Gehäuse-Details).Integrierte VorwiderständeVereinfachter StromkreisaufbauReduzierung der KomponentenanzahlGeringere Bestückungskosten.AEC-Q101-qualifiziert
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- Bipolare Transistoren
- GTIN
- 5059043662947
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