Nexperia Oberfläche Digitaler Transistor NPN + PNP 50 V / 100 mA, US 6-Pin
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -65°C
- Emitter-Basisspannung max. (VEBO)
- 10V
- Gehäusegröße
- US
- Höhe
- 1mm
- Kollektor-Basis Spannung max. (VCBO)
- 50V
- Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo)
- 50V
- Kollektorstrom DC max. (Idc)
- 100mA
- Länge
- 2.2mm
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 300mW
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 6
- Polarität des Transistors
- NPN + PNP
- Produkt Typ
- Digitaler Transistor
- Transistor-Konfiguration
- Doppelbasis
Produktbeschreibung
Doppelwiderstandsbestückte NPN/PNP-Transistoren (RET) in SMD-Kunststoffgehäusen.Ausgangsstrom: 100 mAIntegrierte VorwiderständeVereinfacht den SchaltungsaufbauVerringert die Anzahl an BauelementenVerringert die BestückungskostenZielanwendungsbereichePeripherie-Treiber mit niedriger StromaufnahmeSteuerung von IC-EingängenErsetzt Universaltransistoren in digitalen Anwendungen
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- Bipolare Transistoren
- GTIN
- 5059043764177