Nexperia Oberfläche Digitaler Transistor NPN 50 V / 100 mA, UMT 6-Pin

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

0°C

DC-Stromverstärkung min. (hFE)

30

Emitter-Basisspannung max. (VEBO)

10V

Gehäusegröße

UMT

Höhe

1.1mm

Kollektor-Basis Spannung max. (VCBO)

50V

Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo)

50V

Kollektorstrom DC max. (Idc)

100mA

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Maximale Verlustleistung (Pd)

200mW