Nexperia Oberfläche Digitaler Transistor NPN 50 V / 100 mA, UMT 3-Pin
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -65°C
- DC-Stromverstärkung min. (hFE)
- 30
- Emitter-Basisspannung max. (VEBO)
- 10V
- Gehäusegröße
- UMT
- Kollektor-Basis Spannung max. (VCBO)
- 50V
- Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo)
- 50V
- Kollektorstrom DC max. (Idc)
- 100mA
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Übergangsfrequenz (Ft)
- 230MHz
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 200mW
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 3
- Polarität des Transistors
- NPN
- Produkt Typ
- Digitaler Transistor
- Transistor-Konfiguration
- Einfach
Produktbeschreibung
Produkt Typ = Digitaler Transistor
Kollektorstrom DC max. Idc = 100mA
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo = 50V
Gehäusegröße = UMT
Montageart = Oberfläche
Transistor-Konfiguration = Einfach
Kollektor-Basis Spannung max. VCBO = 50V
Maximale Verlustleistung Pd = 200mW
Pinanzahl = 3°C
Höhe = 1mm
Automobilstandard = Nein
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- Bipolare Transistoren
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