Nexperia Oberfläche Bipolarer Transistor PnP -45 V / -500 mA, DFN1110D-3 3-Pin
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- DC-Stromverstärkung min. (hFE)
- 100
- Emitter-Basisspannung max. (VEBO)
- -5V
- Gehäusegröße
- DFN1110D-3
- Höhe
- 0.5mm
- Kollektor-Basis Spannung max. (VCBO)
- -50V
- Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo)
- -45V
- Kollektorstrom DC max. (Idc)
- -500mA
- Länge
- 1.1mm
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 3
- Polarität des Transistors
- PnP
- Produkt Typ
- Bipolarer Transistor
- Transistor-Konfiguration
- PNP
Produktbeschreibung
Produkt Typ = Bipolarer Transistor
Kollektorstrom DC max. Idc = -500mA
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo = -45V
Gehäusegröße = DFN1110D-3
Montageart = Oberfläche
Transistor-Konfiguration = PNP
Kollektor-Basis Spannung max. VCBO = -50V
Betriebstemperatur min. = -55°C
Pinanzahl = 3°C
Länge = 1.1mm
Automobilstandard = AEC-Q101
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- Bipolare Transistoren
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