Nexperia NextPowerS3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 300 A 291 W, 5-Pin LFPAK

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

30V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

0.87mΩ

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

109nC

Gehäusegröße

LFPAK

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

300A

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Maximale Verlustleistung (Pd)

291W