Nexperia NextPower-S3 technology Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 240 A 238 W, 5-Pin LFPAK

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

40V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

1.4mΩ

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

45nC

Gehäusegröße

LFPAK

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

240A

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Maximale Verlustleistung (Pd)

238W