Nexperia NextPower-S3 Schottky-Plus technology Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 290 A 333 W, 5-Pin

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

40V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

1mΩ

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

87nC

Gehäusegröße

LFPAK

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

290A

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Maximale Verlustleistung (Pd)

333W