Nexperia MOSFETs Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 330 A 375 W, 5-Pin LFPAK

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

55V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

1.03mΩ

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

180nC

Gate-Source-spannung max (Vgs)

20 V

Gehäusegröße

LFPAK

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

330A

Maximale Betriebstemperatur

175°C