Nexperia MOSFETs Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 330 A 375 W, 5-Pin LFPAK
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 55V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 1.03mΩ
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 180nC
- Gehäusegröße
- LFPAK
- Höhe
- 1.6mm
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 330A
- Maximale Betriebstemperatur
- 175°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 375W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 5
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- MOSFETs
Produktbeschreibung
Kabelkanaltyp = Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 330A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 55V
Serie = MOSFETs
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 5
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 1.03mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs = 180nC
Maximale Betriebstemperatur = 175°C
Normen/Zulassungen = RoHSmm
Automobilstandard = Nein
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET