Nexperia Isoliert Trench MOSFET Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 50 V Erweiterung / 160 mA 320 mW, 6-Pin SC-88

Name: Nexperia Isoliert Trench MOSFET Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 50 V Erweiterung / 160 mA 320 mW, 6-Pin SC-88
Brand: Nexperia

Marke: Nexperia

Hersteller Artikel-Nr.: BSS84AKS

Produkt-Nr.: P-DRK5P6

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -55°C
Channel-Modus: Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.: 50V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.: 7.5Ω
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs: 0.26nC
Gehäusegröße: SC-88
Kabelkanaltyp: Typ P
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id): 160mA
Maximale Betriebstemperatur: 150°C
Maximale Verlustleistung (Pd): 320mW
Montageart: Oberfläche
Pinanzahl: 6
Produkt Typ: MOSFET
Serie: Trench MOSFET
Transistor-Konfiguration: Isoliert

Produktbeschreibung

Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 160mA
Drain-Source-Spannung Vds max. = 50V
Gehäusegröße = SC-88
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 6
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 7.5Ω
Channel-Modus = Erweiterung
Maximale Verlustleistung Pd = 320mW
Maximale Betriebstemperatur = -55°C
Höhe = 1mm
Anzahl der Elemente pro Chip = 2
Automobilstandard = AEC-Q101