Nexperia Isoliert Trench MOSFET Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung / 300 mA 445 mW, 6-Pin SC-88

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

60V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

2Ω

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

0.5nC

Gehäusegröße

SC-88

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

300mA

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Maximale Verlustleistung (Pd)

445mW