Nexperia Isoliert Trench MOSFET Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 350 mA 445 mW, 6-Pin SC-88
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 30V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 2.8Ω
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 0.52nC
- Gehäusegröße
- SC-88
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 350mA
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 445mW
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 6
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- Trench MOSFET
- Transistor-Konfiguration
- Isoliert
Produktbeschreibung
Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 350mA
Drain-Source-Spannung Vds max. = 30V
Gehäusegröße = SC-88
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 6
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 2.8Ω
Channel-Modus = Erweiterung
Maximale Verlustleistung Pd = 445mW
Maximale Betriebstemperatur = -55°C
Normen/Zulassungen = Nomm
Anzahl der Elemente pro Chip = 2
Automobilstandard = AEC-Q101
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059043983455
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