Nexperia Isoliert Trench MOSFET Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 870 mA 400 mW, 6-Pin SC-88

Name: Nexperia Isoliert Trench MOSFET Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 870 mA 400 mW, 6-Pin SC-88
Brand: Nexperia

Marke: Nexperia

Hersteller Artikel-Nr.: PMGD280UN,115

Produkt-Nr.: P-DRJ2N6

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -55°C
Channel-Modus: Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.: 20V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.: 340mΩ
Durchlassspannung (Vf): 0.83V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs: 0.89nC
Gehäusegröße: SC-88
Kabelkanaltyp: Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id): 870mA
Maximale Betriebstemperatur: 150°C
Maximale Verlustleistung (Pd): 400mW
Montageart: Oberfläche
Pinanzahl: 6
Produkt Typ: MOSFET
Serie: Trench MOSFET

Produktbeschreibung

Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 870mA
Drain-Source-Spannung Vds max. = 20V
Serie = Trench MOSFET
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 6
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 340mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Maximale Verlustleistung Pd = 400mW
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Normen/Zulassungen = Nomm
Anzahl der Elemente pro Chip = 2
Automobilstandard = Nein