Nexperia Doppelt Trench MOSFET Typ P-Kanal 2, Oberfläche Trench-MOSFET -20 V Erweiterung / 500 mA 4025 mW, 8-Pin DFN
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- -20V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 3.5Ω
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 1.19nC
- Gehäusegröße
- DFN
- Kabelkanaltyp
- Typ P
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 500mA
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 4025mW
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 8
- Produkt Typ
- Trench-MOSFET
- Serie
- Trench MOSFET
- Transistor-Konfiguration
- Doppelt
Produktbeschreibung
Produkt Typ = Trench-MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 500mA
Drain-Source-Spannung Vds max. = -20V
Gehäusegröße = DFN
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 3.5Ω
Channel-Modus = Erweiterung
Maximale Verlustleistung Pd = 4025mW
Maximale Betriebstemperatur = -55°C
Länge = 1.15mm
Anzahl der Elemente pro Chip = 2
Automobilstandard = Nein
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059043659695
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