Nexperia Doppelt Trench MOSFET Typ N-Kanal 2, Oberfläche Trench-MOSFET 60 V Erweiterung / 260 mA 4032 mW, 8-Pin DFN

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

60V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

5.7Ω

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

1nC

Gehäusegröße

DFN

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

260mA

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Maximale Verlustleistung (Pd)

4032mW