Nexperia Diode Serie 200 mA 100 V Oberfläche US 6-Pin
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -65°C
- Diodenkonfiguration
- Serie
- Gehäusegröße
- US
- Höhe
- 1mm
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Durchlassspannung (Vf)
- 1.25V
- Maximale Spitzensperrwiederholspannung (Vrrm)
- 100V
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 250mW
- Maximaler Durchlassstrom (If)
- 200mA
- Montageart
- Oberfläche
- Nicht-repetitiver Spitzendurchlassstoßstrom (Ifsm)
- 4A
- Pinanzahl
- 6
- Produkt Typ
- Diode
- Spitzensperrverzögerungszeit (trr)
- 4ns
- Subtyp
- Schaltdiode
Produktbeschreibung
Mittels Planartechnologie hergestellte Hochgeschwindigkeitsschaltdioden mit einer maximalen Schaltgeschwindigkeit von 4 ns. Unterstützt kundenspezifische Schaltungskonstruktionen mit hoher Dichte, die in hermetisch verschlossenen Gehäusen vergossen sind.Hochgeschwindigkeitsschaltdioden, vergossen in kleinen SMD-Kunststoffgehäusen.Hohe Schaltgeschwindigkeit: trr ≤ 4 nsNiedrige Kapazität: Cd ≤ 1,5 pFNiedriger LeckstromSperrspannung: VR ≤ 100 VKleine SMD-KunststoffgehäuseZielanwendungsbereicheHochgeschwindigkeitsschaltenUniverselles Schalten
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- Schaltdioden
- GTIN
- 5059043221519