Nexperia Darlington-Transistor 2 45 V -1 A PnP HFE:1000, SOT-89 3-Pin

Technische Daten

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Betriebstemperatur min.

-65°C

DC-Stromverstärkung min. (hFE)

1000

Emitter-Basisspannung max. (VEBO)

-5V

Gehäusegröße

SOT-89

Kollektor-Basis Spannung max. (VCBO)

-60V

Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo)

45V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (Vce(SAT))

-1.3V

Maximale Verlustleistung (Pd)

1.3W