Nexperia Darlington-Transistor 2 30 V 500 mA NPN HFE:4000, SOT-23 3-Pin

Technische Daten

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Betriebstemperatur min.

-65°C

DC-Stromverstärkung min. (hFE)

4000

Emitter-Basisspannung max. (VEBO)

10V

Gehäusegröße

SOT-23

Kollektor-Basis Spannung max. (VCBO)

40V

Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo)

30V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (Vce(SAT))

1V

Maximale Verlustleistung (Pd)

250mW