Nexperia Darlington-Transistor 1 80 V -1 A PnP HFE:1000, SOT-89 3-Pin

Name: Nexperia Darlington-Transistor 1 80 V -1 A PnP HFE:1000, SOT-89 3-Pin
Brand: Nexperia

Marke: Nexperia

Hersteller Artikel-Nr.: BST62

Produkt-Nr.: P-DRF5JM

Technische Daten

Anzahl der Elemente pro Chip: 1
Betriebstemperatur min.: -65°C
DC-Stromverstärkung min. (hFE): 1000
Emitter-Basisspannung max. (VEBO): -5V
Gehäusegröße: SOT-89
Kollektor-Basis Spannung max. (VCBO): -90V
Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo): 80V
Maximale Betriebstemperatur: 150°C
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (Vce(SAT)): -1.3V
Maximale Verlustleistung (Pd): 1.3W
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom (Ic): -1A
Montageart: Oberfläche
Pinanzahl: 3
Polarität des Transistors: PnP
Produkt Typ: Darlington-Transistor

Produktbeschreibung

Produkt Typ = Darlington-Transistor
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic = -1A
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo = 80V
Gehäusegröße = SOT-89
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 3
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
DC-Stromverstärkung min. hFE = 1000
Polarität des Transistors = PnPV
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Höhe = 1.6mm
Kollektor-Sperrstrom max. = -50nA
Automobilstandard = Nein