Nexperia Darlington-Transistor 1 80 V 1 A NPN HFE:1000, UPAK 4-Pin

Name: Nexperia Darlington-Transistor 1 80 V 1 A NPN HFE:1000, UPAK 4-Pin
Brand: Nexperia

Marke: Nexperia

Hersteller Artikel-Nr.: BST52,115

Produkt-Nr.: P-DRF3XP

Technische Daten

Anzahl der Elemente pro Chip: 1
Betriebstemperatur min.: -65°C
DC-Stromverstärkung min. (hFE): 1000
Emitter-Basisspannung max. (VEBO): 5V
Gehäusegröße: UPAK
Kollektor-Basis Spannung max. (VCBO): 90V
Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo): 80V
Maximale Betriebstemperatur: 150°C
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (Vce(SAT)): 1.3V
Maximale Verlustleistung (Pd): 1.3W
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom (Ic): 1A
Montageart: Oberfläche
Pinanzahl: 4
Polarität des Transistors: NPN
Produkt Typ: Darlington-Transistor

Produktbeschreibung

Produkt Typ = Darlington-Transistor
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic = 1A
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo = 80V
Gehäusegröße = UPAK
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 4
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
DC-Stromverstärkung min. hFE = 1000
Betriebstemperatur min. = -65°C
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Länge = 4.6mm
Kollektor-Sperrstrom max. = 0.00005mA
Automobilstandard = Nein