Nexperia Darlington-Transistor 1 80 V 1 A NPN HFE:1000, SOT-223 4-Pin

Technische Daten

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Betriebstemperatur min.

-65°C

DC-Stromverstärkung min. (hFE)

1000

Emitter-Basisspannung max. (VEBO)

5V

Gehäusegröße

SOT-223

Kollektor-Basis Spannung max. (VCBO)

90V

Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo)

80V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (Vce(SAT))

1.3V

Maximale Verlustleistung (Pd)

1.25W