Nexperia Darlington-Transistor 1 60 V 500 mA NPN HFE:2000, UPAK 4-Pin

Technische Daten

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Betriebstemperatur min.

-65°C

DC-Stromverstärkung min. (hFE)

2000

Emitter-Basisspannung max. (VEBO)

10V

Gehäusegröße

UPAK

Kollektor-Basis Spannung max. (VCBO)

80V

Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo)

60V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (Vce(SAT))

1V

Maximale Verlustleistung (Pd)

1.3W