Nexperia Darlington-Transistor 1 60 V 500 mA NPN HFE:2000, UPAK 4-Pin
Technische Daten
- Anzahl der Elemente pro Chip
- 1
- Betriebstemperatur min.
- -65°C
- DC-Stromverstärkung min. (hFE)
- 2000
- Emitter-Basisspannung max. (VEBO)
- 10V
- Gehäusegröße
- UPAK
- Kollektor-Basis Spannung max. (VCBO)
- 80V
- Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo)
- 60V
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (Vce(SAT))
- 1V
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 1.3W
- Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom (Ic)
- 500mA
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 4
- Polarität des Transistors
- NPN
- Produkt Typ
- Darlington-Transistor
Produktbeschreibung
Produkt Typ = Darlington-Transistor
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic = 500mA
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo = 60V
Gehäusegröße = UPAK
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 4
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
DC-Stromverstärkung min. hFE = 2000
Maximale Verlustleistung Pd = 1.3W
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Höhe = 1.6mm
Kollektor-Sperrstrom max. = 0.0001mA
Automobilstandard = Nein
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- Darlington Transistoren
- GTIN
- 5059043417417
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