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Nexperia Darlington-Transistor 1 60 V 1 A NPN HFE:1000, SOT-223 4-Pin

Marke: Nexperia

Hersteller Artikel-Nr.: BSP51,115

Produkt-Nr.: P-DRJ2PD

Technische Daten

Anzahl der Elemente pro Chip
1
Betriebstemperatur min.
-65°C
DC-Stromverstärkung min. (hFE)
1000
Emitter-Basisspannung max. (VEBO)
5V
Gehäusegröße
SOT-223
Kollektor-Basis Spannung max. (VCBO)
80V
Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo)
60V
Maximale Betriebstemperatur
150°C
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (Vce(SAT))
1.3V
Maximale Verlustleistung (Pd)
1.25W

Produktbeschreibung

Produkt Typ = Darlington-Transistor
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic = 1A
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo = 60V
Gehäusegröße = SOT-223
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 4
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
DC-Stromverstärkung min. hFE = 1000
Maximale Verlustleistung Pd = 1.25W
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Höhe = 1.7mm
Kollektor-Sperrstrom max. = 0.00005mA
Automobilstandard = AEC-Q101

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Kennzeichnungen

Artikeltyp
Darlington Transistoren
GTIN
5059043871332