Nexperia BUK9Y7R640E Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 79 A 95 W, 5-Pin LFPAK
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 40V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 15.28mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- 1.2V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 5.5nC
- Gehäusegröße
- LFPAK
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 79A
- Maximale Betriebstemperatur
- 175°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 95W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 5
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- BUK9Y7R640E
Produktbeschreibung
N-Kanal-MOSFET mit Logikpegel, 40 V, 7,6 mΩ, in LFPAK56, N-Kanal MOSFET mit Logikpegel in einem LFPAK56 (Power SO8) Gehäuse mit TrenchMOS-Technologie. Dieses Produkt wurde entwickelt und qualifiziert gemäß dem AEC Q101-Standard für den Einsatz in Hochleistungs-Kfz-Anwendungen.Q101-konform Für sich wiederholende Stoßentladung ausgelegt Geeignet für thermisch anspruchsvolle Umgebungen aufgrund der Auslegung für 175 °C: Gate mit echtem Logikpegel mit einem VGS(th)-Nennwert von über 0,5 V bei 175 °C 12-V-Kfz-Systeme Motoren, Leuchten und Magnetschaltersteuerung Getriebesteuerung Schalten von extrem hohen Leistungen
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059043638300
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