Nexperia BUK9Y59 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 16.7 A 37 W, 5-Pin LFPAK
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 60V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 133mΩ
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 6.1nC
- Gehäusegröße
- LFPAK
- Höhe
- 1.05mm
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 16.7A
- Maximale Betriebstemperatur
- 175°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 37W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 5
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- BUK9Y59
Produktbeschreibung
Von der Ansteuerung einer einfachen Lampe bis hin zu den anspruchsvollen Anforderungen an die Leistungsregelung in Motor-, Karosserie- oder Fahrwerksanwendungen – Nexperia Leistungshalbleiter können die Antwort auf viele Probleme mit der Leistung von Automobilsystemen sein.Für thermisch anspruchsvolle Umgebungen geeignet durch Temperaturbereich bis 175 °C, typische MOSFET-Anwendungen, elektrische Servolenkung, Motormanagement, integrierter Anlassergenerator, Getriebesteuerung, Antiblockiersystem (ABS), KlimaregelungN-Kanal MOSFET mit Logikpegel in einem LFPAK56 (Power SO8) Gehäuse mit TrenchMOS-Technologie. Dieses Produkt wurde für den Einsatz in der Automobilindustrie für Anwendungen mit hohen Anforderungen entwickelt.Für sich wiederholende Stoßentladung ausgelegt Geeignet für thermisch anspruchsvolle Umgebungen aufgrund der Auslegung für 175 °C: Gate mit echtem Logikpegel mit einem VGS(th)-Nennwert von über 0,5 V bei 175 °C 12-V-Kfz-Systeme Motoren, Leuchten und Magnetschaltersteuerung Getriebesteuerung Schalten von extrem hohen Leistungen
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059043770963
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