Nexperia BUK9Y19 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 184 A 85 W, 5-Pin LFPAK
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 55V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 40mΩ
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 18nC
- Gehäusegröße
- LFPAK
- Höhe
- 1.05mm
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 184A
- Maximale Betriebstemperatur
- 175°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 85W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 5
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- BUK9Y19
Produktbeschreibung
Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 184A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 55V
Gehäusegröße = LFPAK
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 5
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 40mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Maximale Verlustleistung Pd = 85W
Maximale Betriebstemperatur = 175°C
Höhe = 1.05mm
Automobilstandard = AEC-Q101
Produktangebot
Weitere Angebote
Alle anzeigen (2)Sichere Zahlung
Rechnung
Schneller Versand
etc.
Fragen zum Produkt?
Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059043815596
Alle Angebote
| 12 Monate | 0,63 € 0,75 € inkl. MwSt.* | Bestes Angebot | Maximal 50 verfügbar | ||
| 12 Monate | 0,44 € 0,52 € inkl. MwSt.* |
* zzgl. Versandkosten