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Nexperia BUK9M3580E Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 26 A 62 W, 4-Pin LFPAK

Marke: Nexperia

Hersteller Artikel-Nr.: BUK9M35-80EX

Produkt-Nr.: P-DRMBTZ

Technische Daten

Betriebstemperatur min.
-55°C
Channel-Modus
Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.
80V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
88mΩ
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
13.5nC
Gehäusegröße
LFPAK
Höhe
0.9mm
Kabelkanaltyp
Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
26A
Maximale Betriebstemperatur
175°C

Produktbeschreibung

N-Kanal-MOSFET mit Logikpegel, 80 V, 35 mΩ, in LFPAK33, N-Kanal MOSFET mit Logikpegel in einem LFPAK33 (Power33) Gehäuse mit TrenchMOS-Technologie. Dieses Produkt wurde entwickelt und qualifiziert gemäß dem AEC Q101-Standard für den Einsatz in Hochleistungs-Kfz-Anwendungen.Q101-konform Für sich wiederholende Stoßentladung ausgelegt Geeignet für thermisch anspruchsvolle Umgebungen aufgrund der Auslegung für 175 °C: Gate mit echtem Logikpegel mit einem VGS(th)-Nennwert von über 0,5 V bei 175 °C Kfz-Systeme mit 12 V, 24 V und 48 V Motoren, Leuchten und Magnetschaltersteuerung Getriebesteuerung Schalten von extrem hohen Leistungen

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Kennzeichnungen

Artikeltyp
MOSFET
GTIN
5059043673929

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