Nexperia BUK9M3580E Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 26 A 62 W, 4-Pin LFPAK

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

80V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

88mΩ

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

13.5nC

Gehäusegröße

LFPAK

Höhe

0.9mm

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

26A

Maximale Betriebstemperatur

175°C