Nexperia BUK9M34100E Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 29 A 79 W, 4-Pin LFPAK
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 100V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 97mΩ
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 24.7nC
- Gehäusegröße
- LFPAK
- Höhe
- 0.9mm
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 29A
- Maximale Betriebstemperatur
- 175°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 79W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 4
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- BUK9M34100E
Produktbeschreibung
Kabelkanaltyp = Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 29A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 100V
Gehäusegröße = LFPAK
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 4
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 97mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs = 24.7nC
Maximale Betriebstemperatur = 175°C
Normen/Zulassungen = Nomm
Automobilstandard = AEC-Q101
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059043689456
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