Nexperia BUK9M2880E Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 33 A 75 W, 4-Pin LFPAK
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 80V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 70mΩ
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 6.1nC
- Gehäusegröße
- LFPAK
- Höhe
- 0.9mm
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 33A
- Maximale Betriebstemperatur
- 175°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 75W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 4
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- BUK9M2880E
Produktbeschreibung
N-Kanal-MOSFET mit Logikpegel, 80 V, 28 mΩ, in LFPAK33, N-Kanal MOSFET mit Logikpegel in einem LFPAK33 (Power33) Gehäuse mit TrenchMOS-Technologie. Dieses Produkt wurde entwickelt und qualifiziert gemäß dem AEC Q101-Standard für den Einsatz in Hochleistungs-Kfz-Anwendungen.Q101-konform Für sich wiederholende Stoßentladung ausgelegt Geeignet für thermisch anspruchsvolle Umgebungen aufgrund der Auslegung für 175 °C: Gate mit echtem Logikpegel mit einem VGS(th)-Nennwert von über 0,5 V bei 175 °C Kfz-Systeme mit 12 V, 24 V und 48 V Motoren, Leuchten und Magnetschaltersteuerung Getriebesteuerung Schalten von extrem hohen Leistungen
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059043631615
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