Nexperia BUK98150 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 5.5 A 8 W, 4-Pin SOT-223
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 55V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 161mΩ
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 5.3nC
- Gehäusegröße
- SOT-223
- Höhe
- 0.3mm
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 5.5A
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 8W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 4
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- BUK98150
Produktbeschreibung
Der Nexperia BUK98150-55A/CUF Logikebene N-Kanal-Verbesserungsmodus (FET) in einem Kunststoffgehäuse mit TrenchMOS-TechnologieGeringe Leitungsverluste aufgrund eines niedrigen Durchlasswiderstands Q101-konform
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
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