Nexperia BST82 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 190 mA 830 mW, 3-Pin SOT-23

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-65°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

100V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

10Ω

Durchlassspannung (Vf)

-1.6V

Gehäusegröße

SOT-23

Höhe

1mm

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

190mA

Maximale Betriebstemperatur

150°C