Nexperia BSH111BK Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 335 mA 1.45 W, 3-Pin SOT-23

Name: Nexperia BSH111BK Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 335 mA 1.45 W, 3-Pin SOT-23
Brand: Nexperia

Marke: Nexperia

Hersteller Artikel-Nr.: BSH111BKR

Produkt-Nr.: P-DRBWLG

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -55°C
Channel-Modus: Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.: 55V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.: 8.1Ω
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs: 0.5nC
Gehäusegröße: SOT-23
Höhe: 1mm
Kabelkanaltyp: Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id): 335mA
Maximale Betriebstemperatur: 150°C
Maximale Verlustleistung (Pd): 1.45W
Montageart: Oberfläche
Pinanzahl: 3
Produkt Typ: MOSFET
Serie: BSH111BK

Produktbeschreibung

Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 335mA
Drain-Source-Spannung Vds max. = 55V
Gehäusegröße = SOT-23
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 8.1Ω
Channel-Modus = Erweiterung
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs = 0.5nC
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Länge = 3mm
Automobilstandard = Nein